模拟ic版图工程师由于门槛较低，收入不错，近几年备受欢迎，今天给大家准备了道模拟版图面试题，带你直击模拟版图面试，希望能给大家带来帮助，建议收藏。

01、MOS (metal oxide semiconductor金属氧化物半导体)，按制程可以分为哪几种?

· Pmos∶在MOS制程技术中是最简单，所以被应用的最早。是利用空穴来导电，速度较慢。

.Nmos：利用电子来做传导的工作，因为电子的便宜速度约为空穴的二至三倍，因此在相同的条件下。nMOS制程的电路可以工作得比pMOS快。

· Cmos∶同时包含了nMOS和pMOS，因此制程技术变得较为复杂。通常在CMOS电路中成对的包含nMOS和pMOS晶体管，在稳态时只有一组晶体管能够导通，所以可以说没有静态功率消耗(statlC power)，是目前最省功率的一种电路，现今流行的技术之一。

02、请简述版图工作流程?

首先和相关同事沟通了解项目相关的信息，如工艺信息，项目路径信息，人员信息，封装信息等。然后建立工作环境，包括添加基础库，建立自己的工作库，调整display，bindkey等。工作环境建立好后，先和top layout沟通，看看他对我的工作安排是什么，如果是做Floor plan就快速的用XL工具配合TOP出个按TOP要求的版图。如果是其他工作都保证一个原则，先沟通，在工作，防止我自己因为对要求的不清晰，导致工作质量不达标，进行的反复工作。

03、请说一下从项目开始到版图 tapeout 的工作流程，越详细越好?

● 了解项目相关信息∶首先和相关同事沟通了解项目相关的信息，如工艺信息，项目路径信息，design rule 文档，验证文件路径，人员信息，封装信息等。

● 建立工作环境∶包括添加基础库，建立自己的工作库，调整display，bindkey 等。然后熟悉一下基础库，进行简单的rule的验证。

● 完成Floor plan∶先做版图示意图，(版图示意图有可能电路做也可能是layout 做，)进行FLoorplan的时候要先放PAD，确保封装可行，同时把ESD的面积要先占了，先和电路沟通，按电路要求摆放cell位置，然后注意cell的属性，把噪声cell和模拟cell分开，模拟cell尽量放到芯片的中间，特别是BG等重要cell，不可以放到芯片的边缘。和电路协商后，调整cell位置，确定cell位置。同时安排人员进行 cell Floor plan，调出来 cell的Floor plan，预估面积，调整 cell的形状。进行电源，地线，大电流metal路径初步规划，完成初步的FLoorplan。

● 完成cell版图∶根据人员的能力安排同事进行cell，安排的时候要把cell的注意点，和同事交代一下，在同事完成cell的布局的时候，如何TOP Floor plan有变化，要随时和同事沟通，尽量把效率最大化，减少反复工作的出现。在cell完成时候要检查关键点是否符合电路要求。比如匹配画的是否够好。

● cell review∶根据cell的完成和电路的改动，优化 FLoorplan。一边画，一边根据实际情况进行优化，在cell都完成后进行cell review。

● 连线：信号线要注意敏感线，噪声线，和需要单独隔离的线的屏蔽。电源、地线走线要注意尽量宽，走线连接模块注意网格和树形连接，跳线注意孔的个数尽量8个以上，大电流的地方注意过电流能力计算。最后最好在线的上面用test标注线的名字，我觉的这是非常好的习惯，方便连接的准确性，减少LVS错误，同时方便查看线的隔离做的好坏，也方便电路看版图的时候找线方便。

● 过验证∶过 DRC，LVS，ANT验证，同时如果有些无法解除的错要和电路，工艺方面沟通是否可以 wave 掉，比如 destiny问题。选择我们自己加 dummy 还是工艺厂加。

●Checklist∶ 完成TOP后，要用checklist文件进行复查，防止人为的一些低级错误的发生。

●TOP view∶版图准备好，要和项目组相关人员开一个TOP view会议，在把关键的问题，也就是checklist文档上问题，主要还是ESD，Latchup等相关的地方，还有封装等在确认一下，如果有要改的就优化一些。

●Tapeout∶按照公司的流程，导出数据。

●Crosscheck∶ 按照公司流程，做数据复查。没有问题整个流程就完成了。

04、请简述工艺流程?N 阱CMOS工艺基本流程?

● 第一版，N阱掩膜，在P型衬底上制作N阱。

● 第二版，有源区掩膜，确定有源区，完成场氧和栅氧生成。

● 第三版，多晶光刻掩膜，制作多晶硅栅极和多晶硅电阻。

● 第四版，P+参杂掩膜，制作PMOS管的源，漏和Psub的衬底接触。

● 第五版，N+参杂掩膜，制作NMOS管的源，漏和Nsub的衬底接触。

● 第六版，接触孔

● 第七版，金属，用于内部互连。

● 第八版，钝化层光刻掩膜，光刻出芯片的压焊区。

05、用过哪些工具?如果没有用过公司的工具怎么办?

● 画图工具VirtuosoIC61IC51XL。

● 验证工具calibre

● 我对自己有自信，工具应用的原理都是一样的，我相信画过一个项目后就可以掌握了。

06、了解rule文件吗，知道怎么看desgin rule，快速了解相关信息吗?

● 基本知道，最主要的就是desgin rule文件，基本把我们需要用的信息都包含了，比如drc 间距，电流密度，metal的过电流能力等。

●在培训中学习了，如何看规则文件，如何快速的查找自己需要的信息。如果有目录就利用目录，如果没有就用find查找关键词。比如grid，就直接FIND grid。

07、知道如何修改drc lvs rule文件吗?

● 基本知道，但自己现在改还是有点困难，简单的修改option没有问题。比如TOP metal的选择，厚铝的选择。

● 比如∶修改器件精度，在LVS文件里收索tarce。

● 笔试题就是具体修改rule文件了，一般不考。

08、Cell，TOP电源线，地线如何规划?

·模块内电源、地线可以布局成网格状。多条通路的并联可以极大降低模块内部的电源、地的寄生电阻，加大过电流能力。同时将总线用多点，选择中间位置连接到cell内部，也可以形成网格。

·TOP上，电源、地线树形走线，由一个“粗壮”的总线，分支出多个较细的总线，一级一级分部就像树分支一样。因为总线很宽所以寄生电阻会小。

·同时要注意区分数字cell和模拟cell，要分别拉电源、地线，敏感的cell和噪声cell要单独重PAD拉电源、地线，来避免噪声串扰。

09、如何降低Metal的Rdrop?

·加宽，加厚metal∶

同层次metal尽量拉宽，同时可以通过多根metal并联的方式加宽 Metal来降低寄生电阻。不同层次metal相互叠加走线。相当于加厚metal降低方块电阻。

·通过版图画法技巧来降低Metal的寄生电阻∶

电源、地线树形走线，由一个“粗壮”的总线，分支出多个较细的总线，一级一级分部就像树分支一样。因为总线很宽听以寄生电阻会小。

模块内电源、地线可以布局成网格状。多条通路的并联可以极大降低模块内部的电源、地的寄生电阻，加大过电流能力。同时将总线用多点，选择中间位置连接到cell内部，也可以形成网格。

10、为什么在电路设计中PMOS管的W值经常是Nmos管的2倍?

        为什么一个标准的反相器中P管的宽长比要比N管的大?

·为了达到NMOS与PMOS的电流对称性，所以要把PMOS的宽长比设的更大一些;

·原因是PMOS沟道的空穴的迁移率远远小于NMOS沟道的电子的迁移率，在要求同样的导电时间下，只有把PMOS的宽长比设的更大一些，才能达到要求!

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