顶刊说明：

JSSC (IEEE Journal of Solid-State Circuits)：模拟 / 射频 / 混合信号天花板，必读核心期刊

Proc. IEEE：综述类权威，理解体系必看

TCAS-I/TCAS-II：电路系统理论补充

器件基础、失配、噪声（入门根基，所有人必看）

1、Matching Properties of MOS Transistors

Pelgrom et al., JSSC, Oct 1989

MOS 失配理论开山之作，Pelgrom 失配公式来源，版图匹配设计圣经

2、Characterization and modeling of mismatch in MOS transistors for precision analog design

Lakshmikumar et al., JSSC, Dec 1986

高精度模拟失配建模，运放失调、基准误差分析基础

3、Alpha-Power Law MOSFET Model and its Applications to CMOS Inverter Delay and Other Formulas

Takayasu Sakurai & A. Richard Newton, JSSC, Apr 1990

亚阈值 / 强反型统一 MOS 模型，手工分析电路必备公式来源

4、Circuit techniques for reducing Op-Amp Imperfections: Autozero, CDS, Chopper Stabilization

Enz & Temes, Proc. IEEE, Nov 1996

斩波稳零、自动调零、相关双采样三大降噪技术综述，高精度模拟必读

运算放大器（模拟核心，拓扑进化全集）

1、MOS operational amplifier design — a tutorial overview

Gray & Meyer, JSSC, Dec 1982

运放系统性综述，《Gray 模拟集成电路分析与设计》论文版，入门总纲

2、Improvement of the gain of CMOS amplifiers

Hosticka, JSSC, Dec 1979

套筒式共源共栅增益提升经典，高增益运放源头思路

3、A fast-settling CMOS op amp for SC circuits with 90-dB DC gain

Bult & Geelen, JSSC, Dec 1990

高速稳定两级运放，开关电容标配运放拓扑标杆

4、A quad CMOS single-supply op amp with rail-to-rail output swing

Monticelli, JSSC, Dec 1986

轨到轨输入输出运放奠基论文，低压运放基础架构

5、Design techniques for cascoded CMOS op amps with improved PSRR and common-mode input range

Ribner & Copeland, JSSC, 1984

高电源抑制比运放经典，电源噪声抑制设计必学

带隙基准源（高精度模拟标配）

1、A CMOS Bandgap Reference Circuit with Sub-1-V Operation

Banba et al., JSSC, May 1999

亚 1V 低压带隙基准开山，现代低压基准主流架构源头

2、New Developments in IC Voltage Regulators

Robert J. Widlar，IEEE，Feb 1971

业界公认 Widlar 带隙基准原始奠基论文

PPLL 锁相环（时钟、SerDes、射频核心）

1、Low-Jitter Process-Independent DLL and PLL Based on Self-Biased Techniques

Maneatis, JSSC, Nov 1996

自偏置 PLL 经典，低抖动、PVT 自适应架构，工业界最常用 PLL 拓扑

ADC/DAC数据转换器（混合信号核心）

1、A 1.8-V digital-audio sigma-delta modulator in 0.8-?m CMOS

Rabii & Wooley, JSSC, Jun 1997

Σ-Δ 调制器经典实例，过采样噪声整形入门标杆论文

2、ADC Performance Survey 1997–至今 (Murmann)

每年更新 JSSC 综述，ADC 性能演进全景，选型 / 调研必备

开关电容电路（滤波、采样电路）

1、A Precision Four-Quadrant Multiplier with Subnanosecond Response

Barrie Gilbert，IEEE，Dec 1968

开关电容系统理论奠基

进阶全局综述（拔高认知）

1、Future of analog in the VLSI environment

Vittoz, ISCAS 1990

深亚微米下模拟电路发展趋势思考

2、Analog design in deep sub-micron CMOS

Bult, ESSCIRC 2000

纳米尺度模拟设计痛点与应对思路

阅读路线建议（pdf可领取）：

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学模拟IC推荐：《模拟IC PLL 22nm流片项目课程》：

整个课程逻辑是：

1、先把理论打扎实

半导体基础、CMOS工艺、单级放大器、差分放大器、电流镜、频率响应、噪声、反馈、运放补偿，这些是地基，不跳过。

2、然后直接上PLL项目

PFD、CP、Divider、LPF、VCO、环路分析，从系统建模到每个子模块仿真，再到TOP级联合仿真，不是讲完就完了，是搭在Cadence里跑波形、调参数、看指标，你亲手调过VCO、跑过环路、追过锁定时间。

3、版图阶段也一样，从工艺到底层规则到匹配设计到Calibre验证，PLL的floorplan和全套版图你亲手画过、DRC/LVS跑过、GDS导出过。

这样简历上的项目经验完全可以写：基于TSMC 22nm完成PLL全流程设计+版图，这等于在模拟IC岗位面前就是通行证。